Про FTL важно знать ровно две вещи - размер физического блока (то что вы называете erase блоком и это действительно размер атомарного erase) и принцип ремаппинга секторов.У нас тоже была такая гипотеза что есть корреляция между структурой FAT и логикой работы FTL. В целом это разумно, так как позволило бы добиться значительного выигрыша производительности при записи.
Скорость чтения практически у всех константная, не меняется от адреса сектора.
Корреляцию со структурой FAT можно обнаружить только в выборе размера сектора. Логический размер сектора как правило 512 байт. Бывает размер 1024 и более, но даже в этом случае возможна эмуляция 512 байтового режима. А вот физический размер блока может сильно отличаться от этого.
Размер физического блока можно выявить, если переписывать рандомные данные (чтобы исключить дедупликацию) по полностью заполненной NAND, то подбирая размер сектора можно увидеть "лесенку" на графике скорости записи. Но и эта лесенка в современных чипах сильно ломаная - FTL даже тут пытается что-то там оптимизировать.
Поэтому выставляя размер FAT сектора в размер физического блока можно уже значительно выиграть в производительности.
Что касается ремаппинга секторов, то тут большинство SSD, SDcard и USB флешек ведут себя непредсказуемым образом. Из многих тысяч дампов которые нам присылают ни разу за последние годы не было чёткой картины работы FTL. Иногда сектора ремапятся на конец флеша, иногда на следующий блок...
Но я бы не сказал что это всегда абсолютно случайно.
Конечно, пока таблица ремаппинга не заполнена до конца - скорость записи очень быстрая, FTL просто берёт следующий пустой сектор. А вот потом - никакой закономерности.
И именно это убивает всякие попытки делать wear-leveling на уровне файловой системы.
Кстати, из всех производителей статистически лучшие FTL у Samsung.
Мне попадались SD карточки которые были на порядок (!) быстрее в записи чем большинство других. Причём за ту же цену :)
